TOF-SIMS质谱深度分析半导体小芯片多层膜端面样品的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110662425.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113390948A | 公开（公告）日 | 2021-09-14 |
| 申请公布号 | CN113390948A | 申请公布日 | 2021-09-14 |
| 分类号 | G01N27/62（2021.01）I;G01N1/28（2006.01）I;G01N1/36（2006.01）I | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 朱雷;石凯琳;李珮琳;华佑南;李晓旻 | 申请（专利权）人 | 胜科纳米（苏州）股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京崇智知识产权代理有限公司 | 代理人 | 赵丽娜 |
| 地址 | 215123江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区9栋507室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及材料样品检测技术领域，尤其涉及TOF‑SIMS质谱深度分析半导体小芯片多层膜端面样品的制备方法，包括以下步骤：以所述待测样品的待测面朝上的方式将所述待测样品夹入软质金属片中固定，所述待测样品的待测面与所述软质金属片的顶端齐平；夹入软质金属片中的待测样品放入基线金属块之间，所述基线金属块处于上下面平行状态，所述软质金属片的顶端与所述基线金属块的顶端齐平，然后进行TOF‑SIMS检测。本发明提供的TOF‑SIMS质谱深度分析半导体小芯片多层膜端面样品的制备方法，解决了小尺寸样品在TOF‑SIMS检测难以成功的问题，有效提高了制样的准确度和精度，并且制样过程时间缩短，制样成功率高。 |
