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一种基带芯片、基带芯片的自动增益控制方法

基本信息

申请号 CN202110524389.X 申请日 -
公开（公告）号 CN113271077A 公开（公告）日 2021-08-17
申请公布号 CN113271077A 申请公布日 2021-08-17
分类号 H03G3/30（2006.01）I;H04B17/318（2015.01）I 分类 基本电子电路;
发明人 杨行;张云伟 申请（专利权）人 北京东土军悦科技有限公司
代理机构 北京华夏正合知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 韩登营
地址 100144北京市石景山区实兴东街18号院1号楼2层01
法律状态 -

摘要

摘要 本申请提供了一种基带芯片、基带芯片的自动增益控制方法，该基带芯片包括与射频芯片连接的自动增益控制单元、射频控制单元；所述自动增益控制单元包括饱和检测模块、RSSI计算模块和增益计算模块，所述饱和检测模块用于对所述射频芯片输出的射频信号进行饱和检测，所述RSSI计算模块用于对所述射频芯片输出的射频信号进行RSSI值的计算，所述增益计算模块分别连接所述饱和检测模块和RSSI计算模块，根据所述饱和检测的结果和所述RSSI值计算增益值；所述射频控制单元连接所述增益计算模块，根据所述增益值，对所述射频芯片输出的射频信号进行增益控制。本申请可实现对输出至基带芯片的射频信号进行增益控制。