一种基体分离N型功率管ESD电路和设置方法
基本信息
| 申请号 | CN202010518890.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111696982A | 公开（公告）日 | 2020-09-22 |
| 申请公布号 | CN111696982A | 申请公布日 | 2020-09-22 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 黄勍隆;冯显声;闸钢 | 申请（专利权）人 | 深圳能芯半导体有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 518000广东省深圳市南山区前海深港合作区前湾一路1号A栋201室(入驻深圳市前海商务秘书有限公司) | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种基体分离N型功率管ESD电路和设置方法，电路包括功率管的源极或漏极与主体之间存在寄生二极管，寄生二极管的正极连接主体，二极管的负极连接源极或漏极；主基体、地、N型隔离环之间存在有寄生PNP三极管，PNP三极管的发射极连接主体，其集电极连接地，基极连接N型隔离环，其基极与电源端之间连接有单向限流电路，用于限定电源端的电流流向PNP三极管的基极。本申请通过设置单向限流电路，限制流向寄生PNP三极管的电流，保证ESD时寄生PNP三极管截止，实现ESD时不破坏功率管。 |
