一种高侧NMOS功率管预充电电路
基本信息
| 申请号 | CN202110601513.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113328613A | 公开（公告）日 | 2021-08-31 |
| 申请公布号 | CN113328613A | 申请公布日 | 2021-08-31 |
| 分类号 | H02M1/36（2007.01）I;H02H7/12（2006.01）I | 分类 | 发电、变电或配电; |
| 发明人 | 闸钢 | 申请（专利权）人 | 深圳能芯半导体有限公司 |
| 代理机构 | 北京轻创知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘希豪 |
| 地址 | 518000广东省深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201室（入驻深圳市前海商务秘书有限公司） | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种高侧NMOS功率管预充电电路，包括高侧NMOS功率管，所述高侧NMOS功率管的栅极连接有电荷泵和预充电电路；所述预充电电路包括PM0、PM1、PM2、NM0和反相器IV，由信号CHG来控制预充电电路；其中NM0用于在预充电时将PM1的栅极与PM0的栅极短接在一起，使PM0和PM1同时导通；PM2用于预充电结束之后将PM1的栅极与源极短接在一起使PM1截止，切断高侧NMOS功率管的栅极与VCC之间的通路，本发明高侧NMOS功率管栅极电压预充电电路，使得预充电效果最佳。 |
