一种氮化物表面增强拉曼基片及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201811310458.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109234686B | 公开（公告）日 | 2019-01-18 |
| 申请公布号 | CN109234686B | 申请公布日 | 2019-01-18 |
| 分类号 | C23C14/30(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 张政军;赵丰通 | 申请（专利权）人 | 广西三环高科拉曼芯片技术有限公司 |
| 代理机构 | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张文宝 |
| 地址 | 537400广西壮族自治区玉林市北流日用陶瓷工业园区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于痕量有机物检测技术领域，涉及一种氮化物表面增强拉曼基片及其制备方法。本发明采用倾斜生长法在单晶硅等基底上生长制备氮化物纳米棒阵列，再采用氮气气氛退火方法提升氮化物基片性能。上述方法制备的氮化物基片具有良好的表面增强拉曼效应，同时继承了氮化物陶瓷的化学稳定性，具备超长时间的存放稳定性。由于制备工艺简单，原材料廉价易得，易于商品化和工业化，该基片在有机物的痕量、快速检测方面具有广阔的应用前景。 |
