一种提高膜基结合力制备表面增强拉曼基底的方法
基本信息
| 申请号 | CN201810077316.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108330441A | 公开（公告）日 | 2018-07-27 |
| 申请公布号 | CN108330441A | 申请公布日 | 2018-07-27 |
| 分类号 | C23C14/06;C23C14/16;C23C14/18;C23C14/30;C23C16/40;C23C28/00;C23C16/56 | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 张政军;马菱薇 | 申请（专利权）人 | 广西三环高科拉曼芯片技术有限公司 |
| 代理机构 | 北京鸿元知识产权代理有限公司 | 代理人 | 邸更岩 |
| 地址 | 100084 北京市海淀区100084信箱82分箱清华大学专利办公室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种提高膜基结合力制备表面增强拉曼基底的方法，该方法首先在衬底基片上生长平整的过渡层，再在过渡层上生长银纳米棒阵列薄膜，之后在银表面均匀覆盖一层超薄的氧化物膜，最后加热上述复合纳米结构，获得具有优异膜基结合力的表面增强拉曼基底。过渡层缓解了贵金属薄膜和衬底间的不匹配因素，调节了整个膜基范围内的应力分布和原子键合。银纳米棒表面超薄的氧化层保证基底具有良好的SERS灵敏性和热稳定性。因此可以进一步加热基底，促进薄膜与衬底间原子的扩散，减少界面孔隙，提高附着力。具有优异膜基结合力的表面增强拉曼基底不易脱落，稳定性好，便于运输、储存和使用，从而使表面增强拉曼技术的实用性增强。 |
