半导体结构及其形成方法
基本信息
| 申请号 | CN201710726800.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109427582B | 公开（公告）日 | 2021-09-07 |
| 申请公布号 | CN109427582B | 申请公布日 | 2021-09-07 |
| 分类号 | H01L21/336;H01L29/78 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 周飞 | 申请（专利权）人 | 中芯国际集成电路新技术研发（上海）有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 吴敏 |
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供衬底，所述衬底上具有鳍部，所述鳍部上形成有沟道叠层，所述沟道叠层包括牺牲层和位于所述牺牲层上的沟道层；在所述沟道叠层上形成伪栅结构；在所述伪栅结构两侧的所述沟道叠层内形成开口；去除所述伪栅结构下方的部分牺牲层，在所述开口的侧壁上形成凹槽；在所述凹槽内形成保护层。在所述牺牲层和所述应力层之间设置保护层，从而防止所述牺牲层去除过程中所述应力层受到损伤，减少应力层受损现象的出现，有利于提高应力层的质量，有利于改善所形成半导体结构的性能。 |
