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互连结构及其形成方法

基本信息

申请号 CN201711074742.9 申请日 -
公开（公告）号 CN109755175B 公开（公告）日 2021-08-06
申请公布号 CN109755175B 申请公布日 2021-08-06
分类号 H01L21/768（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 袁可方;周俊卿;张海洋;王智东 申请（专利权）人 中芯国际集成电路新技术研发（上海）有限公司
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 高磊;吴敏
地址 201203上海市浦东新区张江路18号
法律状态 -

摘要

摘要 一种互连结构及其形成方法，所述形成方法包括：形成基底，所述基底上具有介质层；在所述介质层内形成沟槽，所述沟槽贯穿部分厚度的所述介质层；至少在所述沟槽侧壁和底部的介质层上形成保护层；形成所述保护层之后，在所述沟槽的底部形成接触孔，所述接触孔贯穿剩余厚度的所述介质层。通过所述保护层的形成，在所述接触孔的形成过程中，保护所述沟槽底部和侧壁所露出的介质层，从而有效提高所述接触孔形成之后，所述介质层的质量，有利于提高所述互连结构形成之后所述介质层的性能以及所形成互连结构的性能，有利于改善所形成半导体结构的性能。