半导体结构及其形成方法
基本信息
| 申请号 | CN201710735293.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109427664B | 公开（公告）日 | 2021-08-06 |
| 申请公布号 | CN109427664B | 申请公布日 | 2021-08-06 |
| 分类号 | H01L21/8234（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L27/088（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张焕云;吴健 | 申请（专利权）人 | 中芯国际集成电路新技术研发（上海）有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 吴敏 |
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，包括衬底和位于衬底上的鳍部，基底上形成有层间介质层，层间介质层内形成有露出部分基底的栅极开口，栅极开口侧壁上形成有侧墙；对远离基底一侧的部分高度的侧墙侧壁进行减薄处理，未进行减薄处理的侧墙的顶部至多与鳍部顶部齐平；在减薄处理后，在栅极开口的底部和侧壁形成栅介质层；在栅介质层上形成无定型硅层；形成无定型硅层后，对基底进行退火处理；在退火处理后，去除无定型硅层。本发明对远离基底一侧的部分高度的侧墙侧壁进行减薄处理，且未进行减薄处理的侧墙的顶部至多与鳍部顶部齐平，从而降低去除无定型硅层后发生无定型硅层残留问题的概率。 |
