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半导体结构及其形成方法

基本信息

申请号 CN201711386250.3 申请日 -
公开（公告）号 CN109950205B 公开（公告）日 2021-09-07
申请公布号 CN109950205B 申请公布日 2021-09-07
分类号 H01L21/8238;H01L27/092 分类 基本电气元件;
发明人 周飞 申请（专利权）人 中芯国际集成电路新技术研发（上海）有限公司
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 徐文欣;吴敏
地址 201203 上海市浦东新区张江路18号
法律状态 -

摘要

摘要 一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：在第一接触孔底部暴露出的衬底中形成第一源漏掺杂层，第一源漏掺杂层中具有第一掺杂离子；在第一源漏掺杂层表面形成第一金属化物；形成第一金属化物之后，在第二区域介质层中形成第二接触孔，第二接触孔底部暴露出所述衬底；在第二接触孔底部暴露出的衬底中形成第二源漏掺杂层，第二源漏掺杂层中具有第二掺杂离子，第二掺杂离子与所述第一掺杂离子的导电类型相反；在第二源漏掺杂层表面形成第二金属化物，第二金属化物与所述第一金属化物的材料不相同。形成方法能够降低第一金属化物与第一源漏掺杂层之间的接触电阻，同时降低第二金属化物与第二源漏掺杂层之间的接触电阻。