半导体结构及其形成方法
基本信息
| 申请号 | CN201810094678.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110098150B | 公开（公告）日 | 2021-07-13 |
| 申请公布号 | CN110098150B | 申请公布日 | 2021-07-13 |
| 分类号 | H01L21/8238;H01L27/092 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张焕云;吴健 | 申请（专利权）人 | 中芯国际集成电路新技术研发（上海）有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐文欣;吴敏 |
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底包括第一区和第二区，所述第一区基底内具有第一源漏掺杂区；在所述第一区基底和第一源漏掺杂区上形成第一保护层；形成所述第一保护层之后，在所述第二区的基底内形成第二源漏掺杂区；形成所述第二源漏掺杂区之后，去除第一保护层；去除第一保护层之后，在所述基底、第一源漏掺杂区和第二源漏掺杂区上形成介质层；去除部分所述介质层，直至暴露出第一源漏掺杂区和第二源漏掺杂区的顶部表面，在所述介质层内形成接触孔。所述方法形成接触孔时能够降低对第二源漏掺杂区顶部表面的损伤。 |
