半导体结构及其形成方法
基本信息
| 申请号 | CN201710952407.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109671777B | 公开（公告）日 | 2021-10-15 |
| 申请公布号 | CN109671777B | 申请公布日 | 2021-10-15 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李勇 | 申请（专利权）人 | 中芯国际集成电路新技术研发（上海）有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐文欣;吴敏 |
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种半导体结构及其形成方法，其中，所述形成方法包括：提供衬底，所述衬底上具有第一鳍部；形成覆盖所述第一鳍部侧壁的第一侧墙结构，所述第一侧墙结构包括相对的第一面和第二面，所述第二面朝向所述第一鳍部侧壁表面；在所述第一侧墙结构之间的第一鳍部中形成第一凹槽，所述第一凹槽侧壁暴露出所述第一侧墙结构；形成所述第一凹槽之后，对所述第一侧墙结构第一面进行刻蚀，去除部分第一侧墙结构；对所述第一侧墙结构第一面进行刻蚀之后，在所述第一凹槽中形成第一外延层。所述形成方法能够改善所形成半导体结构的性能。 |
