半导体结构及其形成方法
基本信息
| 申请号 | CN201710734685.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109427677B | 公开（公告）日 | 2021-08-06 |
| 申请公布号 | CN109427677B | 申请公布日 | 2021-08-06 |
| 分类号 | H01L21/8238（2006.01）I;H01L27/092（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘继全 | 申请（专利权）人 | 中芯国际集成电路新技术研发（上海）有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐文欣;吴敏 |
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底，基底上具有栅极层，栅极层内具有杂质离子，栅极层两侧的基底内具有源漏掺杂区，基底、源漏掺杂区和栅极层上具有介质层；去除源漏掺杂区上的部分介质层，直至暴露出源漏掺杂区，在介质层内形成源漏接触孔；去除栅极层上的部分介质层，直至暴露出栅极层，在介质层内形成栅极接触孔；在栅极接触孔底部形成阻挡层；在阻挡层上和源漏接触孔底部形成金属层；进行退火处理，使所述金属层与源漏接触孔底部的源漏掺杂区材料反应，在源漏接触孔底部形成金属硅化物层。所述方法形成的器件的接触电阻较小。 |
