半导体结构及其形成方法
基本信息
| 申请号 | CN201710776635.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109427888B | 公开（公告）日 | 2021-10-15 |
| 申请公布号 | CN109427888B | 申请公布日 | 2021-10-15 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L23/367;H01L21/336 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 周飞 | 申请（专利权）人 | 中芯国际集成电路新技术研发（上海）有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 吴敏 |
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：衬底，所述衬底包括功能区和与所述功能区相邻的散热区；有源鳍部，凸起于所述功能区的衬底表面；沟道层，位于所述有源鳍部上；散热鳍部，凸起于所述散热区的衬底表面。所述散热鳍部位于所述功能区相邻的散热区衬底上，因此所述散热鳍部的设置能够高所述沟道层的散热能力，改善半导体结构的性能。 |
