半导体结构及其形成方法
基本信息
| 申请号 | CN201810041005.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110047741B | 公开（公告）日 | 2021-07-13 |
| 申请公布号 | CN110047741B | 申请公布日 | 2021-07-13 |
| 分类号 | H01L21/28;H01L29/423 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张城龙;涂武涛;纪世良 | 申请（专利权）人 | 中芯国际集成电路新技术研发（上海）有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐文欣;吴敏 |
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种半导体结构及其形成方法，其中，所述形成方法包括：提供衬底，所述衬底上具有栅极结构和介质层，所述栅极结构侧壁表面具有侧墙，所述介质层覆盖所述侧墙侧壁，且暴露出所述栅极结构顶部；去除部分侧墙，暴露出部分栅极结构侧壁，在所述介质层和栅极结构之间形成第一开口；去除部分侧墙之后，去除部分栅极结构，在所述介质层中形成被第一开口包围的第二开口；去除部分栅极结构之后，在所述第一开口和第二开口中形成隔离层。所述形成方法能够增加隔离层的隔离性能，改善半导体结构性能。 |
