提高直拉单晶拉速的装置
基本信息
| 申请号 | CN201910556405.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110106547B | 公开（公告）日 | 2022-07-15 |
| 申请公布号 | CN110106547B | 申请公布日 | 2022-07-15 |
| 分类号 | C30B15/00（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 丁亚国;梁万亮;马国忠;顾燕滨;河野贵之 | 申请（专利权）人 | 宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 宁夏三源鑫知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 750000 宁夏回族自治区银川市经济技术开发区光明西路23号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种提高直拉单晶拉速的装置，属于单晶硅生产设备技术领域。包括导流筒及撤热组件，所述撤热组件安装于所述导流筒的上方，通过热辐射或者热传导的方式对所述导流筒进行降温。本发明技术方案实现在所述撤热组件远离单晶炉的热场的状态下，与固液界面发生热量交换，降低固液界面处温度，从而提高直拉单晶的拉速，提高直拉单晶拉速则大幅度节约的电耗。同时，由于所述撤热组件距离单晶炉热场较远，一则所述撤热组件受到热场的热应力有限，降低所述撤热组件泄漏概率，二则一旦泄漏发生，能够及时通过单晶炉内的氛围变化判断发现，及时停炉，降低事故率。 |
