控制单晶硅尾部长度的方法及单晶炉收尾方法
基本信息
| 申请号 | CN202011553132.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112725883B | 公开（公告）日 | 2022-03-22 |
| 申请公布号 | CN112725883B | 申请公布日 | 2022-03-22 |
| 分类号 | C30B15/22（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 梁万亮;丁亚国;马国忠;顾燕滨;河野贵之 | 申请（专利权）人 | 宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 宁夏三源鑫知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 孙彦虎 |
| 地址 | 750021 宁夏回族自治区银川市西夏区光明西路23号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种控制单晶硅尾部长度的方法及单晶硅收尾方法，属于单晶硅生产技术领域。读取实时收尾长度L1以及该收尾长度对应的实际收尾重量W1，并通过实时收尾长度L1计算理论收尾重量W0，比较实际收尾重量W1与理论收尾重量W0的偏差，如果偏差过大，则对应的调整实时收尾长度L1时刻的拉晶拉速或收尾温度，以降低实际收尾重量W1与理论收尾重量W0的偏差，达到控制单晶硅硅棒尾部长度的目的，避免单晶硅硅棒尾部过长，导致收尾用料较多，且收尾时间长，或者单晶硅硅棒尾部过短，造成位错，使晶体失去完整单晶结构。同时，控制单晶硅硅棒尾部长度，也能够为成批次生产特殊要求的单晶硅硅棒提供可靠的收尾控制参数。 |
