提高直拉单晶硅棒尾部氧含量的石英坩埚的制备装置及方法和石英坩埚
基本信息
| 申请号 | CN202111623933.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114347218A | 公开（公告）日 | 2022-04-15 |
| 申请公布号 | CN114347218A | 申请公布日 | 2022-04-15 |
| 分类号 | B28B1/54（2006.01）I;B28B1/02（2006.01）I;B28B13/02（2006.01）I;B28B7/00（2006.01）I;C30B15/10（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I | 分类 | 加工水泥、黏土或石料; |
| 发明人 | 唐文豪;李卫;李常国;王建军;马万保 | 申请（专利权）人 | 宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 宁夏三源鑫知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 邢芳丽 |
| 地址 | 750000宁夏回族自治区银川市经济技术开发区光明西路23号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种提高直拉单晶硅棒尾部氧含量的石英坩埚的制备装置及方法和石英坩埚，所述装置包括模具和成型棒，成型棒包括棒体和顶针，棒体包括直臂、底臂、连接直臂和底臂的圆弧臂，顶针安装在底臂的端部，模具移动至成型工位处用顶针的下端与模具内部底壁中心结合，底臂外侧设置凹陷部，凹陷部靠近模具内表壁设置，用上述装置所制得的石英坩埚内表壁底部具有环状凸起部，随着拉晶过程中硅熔体减少，增大了石英坩埚内表面与硅熔体的接触面积，使得石英坩埚内壁与环状凸起部之间形成硅熔体的富氧体，而且由于环状凸起部又改变了硅熔体的流动方式，使得富氧体的硅熔体更易流向硅单晶的生长面，易于长到硅晶体中，增加了晶体硅棒尾部中氧的含量。 |
