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一种芯片生产用固化温度控制工艺

基本信息

申请号	CN201911169918.8	申请日	-
公开（公告）号	CN110813675A	公开（公告）日	2020-02-21
申请公布号	CN110813675A	申请公布日	2020-02-21
分类号	B05D3/04	分类	一般喷射或雾化；对表面涂覆液体或其他流体的一般方法〔2〕;
发明人	沈林;邹光辉	申请（专利权）人	衡阳开拓光电科技有限公司
代理机构	青岛小度智慧知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	郑素娟
地址	421000 湖南省衡阳市雁峰区岳屏镇蔡伦大道衡山科学城红树林片区A5栋二楼
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种芯片生产用固化温度控制工艺，包括以下步骤：步骤一、保湿：降压至0.03‑0.05MPa，保持温度60‑80℃，湿度控制在90％‑100％RH，维持15‑20min；步骤二、通入臭氧，升压至0.2‑0.3MPa，升高温度至80‑85℃、相对湿度至90‑95％，维持3‑4h；步骤三、温度控制在60‑80℃；湿度由90％‑100％RH在4‑8h内逐渐降低到1‑20％RH；步骤四、干燥：温度控制60‑80℃，湿度控制1‑20％RH，干燥6‑12h，压力至0.2‑0.3MPa，干燥维持6‑12h，本发明由于臭氧在水中的溶解度较纯氧大，0℃时一个标准大气压下，一体积水可溶解0.494体积臭氧，臭氧很不稳定，在常温常压下即可分解为氧气，有很强的氧化性，本发明利用臭氧易溶于水及易分解的特性，固化过程中向固化室通入臭氧，以提高固化极板水份的氧浓度，进而提高固化效率。