提高量产MOCVD的氮化镓LED波长的可重复性制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201811464391.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109585614A | 公开（公告）日 | 2019-04-05 |
| 申请公布号 | CN109585614A | 申请公布日 | 2019-04-05 |
| 分类号 | H01L33/00（2010.01）I; H01L33/06（2010.01）I; H01L33/32（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 任朝花 | 申请（专利权）人 | 江苏中谷光电股份有限公司 |
| 代理机构 | 上海信好专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 朱成之;潘朱慧 |
| 地址 | 226017 江苏省南通市南通苏通科技产业园江广路66号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种提高量产MOCVD的氮化镓LED波长的可重复性制造方法，包含：S1、提供一衬底，在衬底上生长缓冲层；S2、在缓冲层上自下至上依次生长未掺杂GaN层和N‑GaN层；S3、在N‑GaN层上生长多量子阱结构层，其由多组周期交替层叠生长的InGaN层和GaN层组成；其中，在生长InGaN层的过程中，先将In的浓度调节至饱和状态，再调节生长温度以调制出氮化镓LED的所需波长；S4、在多量子阱结构层上生长P型电子阻挡层；S5、在P型电子阻挡层上生长P‑GaN层；S6、在P‑GaN层上生长P+GaN层。本发明可有效减少不稳定性，提高波长的重复性。 |
