一种具有电极反射层的LED芯片及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201310304382.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103390711B | 公开（公告）日 | 2016-05-11 |
| 申请公布号 | CN103390711B | 申请公布日 | 2016-05-11 |
| 分类号 | H01L33/40(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 武乐可;胡国兵;邱国安;曹小明;叶关兴 | 申请（专利权）人 | 江苏中谷光电股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京商专永信知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 高之波;邬玥 |
| 地址 | 226000 江苏省南通市南通经济技术开发区苏通科技产业园纬14路12号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种具有电极反射层的LED芯片制作方法，包括以下步骤，S1，在衬底上依次生长N型GaN层、量子阱层和P型GaN层；S2，采用刻蚀工艺使部分N型GaN层裸露；S3，于P型GaN层以及裸露的N型GaN层上分别蒸镀导电层，并预留有电极区域；S4，于预留的电极区域蒸镀电极反射层；S5，在电极反射层和导电层上蒸镀金属电极，电极与导电层接触。本发明在电极蒸镀之前制作电极反射层，将电极下方的光子在被金属电极吸收之前反射回去，从而增加光子的出射效率，此外本发明还提供了上述方法制取的具有电极反射层的LED芯片。 |
