氮化镓单晶非极性面衬底生长氮化镓发光二极管的方法
基本信息
| 申请号 | CN201310281021.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103325895A | 公开（公告）日 | 2016-04-20 |
| 申请公布号 | CN103325895A | 申请公布日 | 2016-04-20 |
| 分类号 | H01L33/00 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 梅劲 | 申请（专利权）人 | 江苏中谷光电股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京商专永信知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 高之波;邬玥 |
| 地址 | 226000 江苏省南通市南通经济技术开发区苏通科技产业园纬14路12号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种氮化镓单晶非极性面衬底生长氮化镓发光二极管的方法，包括以下步骤，S1，将非极性面的氮化镓单晶衬底升温至n型导电层的生长温度范围，生长氮化镓n型导电层；S2，于n型导电层上生长量子阱层；S3，于量子阱层上生长氮化镓p型导电层。本发明通过改变氮化镓衬底生长表面的晶体方向，减少量子阱层内由于压变极化电场和自然极化电场造成的电子和空穴在生长方向上的分离，从而提高载流子在发光层的光辐射复合效率。 |
