一种氮化镓基发光二极管制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201811453886.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109326687A | 公开（公告）日 | 2019-02-12 |
| 申请公布号 | CN109326687A | 申请公布日 | 2019-02-12 |
| 分类号 | H01L33/00;H01L33/12 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 魏曙亮 | 申请（专利权）人 | 江苏中谷光电股份有限公司 |
| 代理机构 | 上海信好专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 朱成之;潘朱慧 |
| 地址 | 226017 江苏省南通市南通苏通科技产业园江广路66号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种氮化镓基发光二极管制备方法，包括以下步骤：将衬底进行升温氢化处理；将经过升温氢化处理的衬底进行降温氮化处理；在经过降温氮化处理的衬底表面上沉积氮化镓层；在氮化镓层上沉积第一接触层；在第一接触层沉积发光层；在发光层沉积第二接触层。本发明通过在经过降温氮化处理的衬底表面上连续沉积低温氮化镓层和高温氮化镓层，避免了在高温退火时在低温氮化镓层上造成的退火不均致使表面形貌差，同时连续沉积有利于缩短制备周期，降低生产成本。 |
