一种发光二极管外延片制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201811453957.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109545920A | 公开（公告）日 | 2019-03-29 |
| 申请公布号 | CN109545920A | 申请公布日 | 2019-03-29 |
| 分类号 | H01L33/02（2010.01）I; H01L33/06（2010.01）I; H01L33/12（2010.01）I; H01L33/32（2010.01）I; H01L33/00（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 魏曙亮 | 申请（专利权）人 | 江苏中谷光电股份有限公司 |
| 代理机构 | 上海信好专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 潘朱慧;朱成之 |
| 地址 | 226017 江苏省南通市南通苏通科技产业园江广路66号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明是一种发光二极管外延片制备方法，包含以下步骤：S1、在衬底上预镀预镀层；S2、获取所述预镀层厚度；S3、根据获取的预镀层厚度在所述预镀层上沉积缓冲层厚度或缓冲层中铝组份含量；所述步骤S3中，沉积缓冲层时保持缓冲层厚度不变，调节缓冲层中金属组份含量；或，沉积缓冲层时根据预镀层厚度调节缓冲层厚度；S4、在所述缓冲层上沉积第一接触层；S5、在所述第一接触层上沉积发光层；S6、在所述发光层上沉积第二接触层。本发明通过在衬底上预镀预镀层，利用在线监测获取预镀层厚度并及时对缓冲层进行调节，使衬底、预镀层、缓冲层达到最佳匹配度，从而提高产品品质。 |
