一种用于合成半导体多晶材料的反应管装置
基本信息
申请号 | CN201922396353.9 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN211689296U | 公开(公告)日 | 2020-10-16 |
申请公布号 | CN211689296U | 申请公布日 | 2020-10-16 |
分类号 | C30B28/14(2006.01)I | 分类 | - |
发明人 | 马英俊;林泉;许兴;李万朋;许所成;刘向前;邢爱君;焦雪梅;孔鑫燚 | 申请(专利权)人 | 北京国晶辉红外光学科技有限公司 |
代理机构 | 北京辰权知识产权代理有限公司 | 代理人 | 北京国晶辉红外光学科技有限公司 |
地址 | 100088北京市海淀区北三环中路43号二区 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本实用新型涉及一种用于合成半导体多晶材料的反应管装置,包括均为水平设置的石墨管和热解氮化硼材料管,热解氮化硼材料管的外径接近石墨管的内径,热解氮化硼材料管位于石墨管内,且热解氮化硼材料管的底部外管壁与石墨管的底部内管壁相接触。石墨管的顶部管壁的两端分别设有第一通气孔,热解氮化硼材料的顶部管壁的两端分别设有第二通气孔,第一通气孔与第二通气孔位置对应。本实用新型的反应管装置,能有效地将合成的半导体多晶材料的与石墨隔离,降低多晶材料中碳元素的含量,有效提高晶体的质量。 |
