低辐射膜及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN98112627.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN1247839A | 公开（公告）日 | 2000-03-22 |
| 申请公布号 | CN1247839A | 申请公布日 | 2000-03-22 |
| 分类号 | C03C17/36 | 分类 | 玻璃；矿棉或渣棉; |
| 发明人 | 彭传才;黄广连;胡云慧;魏敏;余圣发;曹志刚;李京增 | 申请（专利权）人 | 长沙国防科技大学八达薄膜电子技术研究所 |
| 代理机构 | 湖南省专利服务中心 | 代理人 | 长沙国防科技大学八达薄膜电子技术研究所;上海凯业立德镀膜科技有限公司 |
| 地址 | 410073湖南省长沙市上大垅 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及低辐射膜及其镀膜方法。该低辐射膜是由三层组成,从靠基材的一层开始依次是金属氧化物层,金属反射层和ITO层。除第三层TTO镀膜时,以ITO为靶材,采用非反应溅射成膜外,各层的镀膜方法和设备与现有技术相同。本发明由于选用ITO为第三层,大大简化了镀膜工艺。所得到的低辐射膜具有优良的性能。 |
