双端磁控溅射离子镀膜机

基本信息

申请号 CN94237225.5 申请日 -
公开(公告)号 CN2186249Y 公开(公告)日 1994-12-28
申请公布号 CN2186249Y 申请公布日 1994-12-28
分类号 C23C14/35 分类 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
发明人 彭传才;魏敏;胡云慧;田雨时;刘重光;金昭廷;黄广连 申请(专利权)人 长沙国防科技大学八达薄膜电子技术研究所
代理机构 湖南省专利服务中心 代理人 长沙国防科技大学八达薄膜电子技术研究所
地址 410073湖南省长沙市国防科技大学四系
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型涉及的是一种双端磁控溅射离子镀膜机,由真空室和传输机构组成。其中真空室包括前、后锁室、溅射区、隔离区和压差室,真空室内设置有加热装置和溅射靶、偏压装置,在前锁室上开有入口,后锁室上开有出口,在真空室壁上设有穿越口。本实用新型具有长度尺寸小,从而投资小,生产节拍快,具有多种功能,既可以镀热反射玻璃,也可以镀低辐射玻璃,还可以在瓷砖、钢板上镀膜以及在有一定曲面的板上镀膜,且膜的附着力,膜厚的均匀性都明显改善,从而大大提高产品的质量。