一种用于集成电路的接触孔的蚀刻结构和方法
基本信息
| 申请号 | CN202210077313.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114496913A | 公开（公告）日 | 2022-05-13 |
| 申请公布号 | CN114496913A | 申请公布日 | 2022-05-13 |
| 分类号 | H01L21/768（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 蔡弦助;叶甜春;朱纪军;李彬鸿;罗军;赵杰 | 申请（专利权）人 | 澳芯集成电路技术（广东）有限公司 |
| 代理机构 | 无锡市汇诚永信专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 510000广东省广州市黄埔区香雪大道中85号1601-1607房 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及集成电路技术领域,公开了一种用于集成电路的接触孔的蚀刻结构和方法，本发明的蚀刻结构中的衬底的顶部从下往上依次设有第一介质层和第二介质层，第二介质层的侧向蚀刻率小于第一介质层的蚀刻率，在实际蚀刻时，由于第二介质层的蚀刻速率大于第一介质层的蚀刻速率，可以让第二介质层获得更好的抗蚀刻效益，进而可以有效地将侧向蚀刻的行为改善，避免接触孔在蚀刻时出现碗型轮廓的情况。 |
