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一种半导体结构及其制造方法

基本信息

申请号 CN202210126415.8 申请日 -
公开（公告）号 CN114496903A 公开（公告）日 2022-05-13
申请公布号 CN114496903A 申请公布日 2022-05-13
分类号 H01L21/762（2006.01）I;H01L21/8238（2006.01）I;H01L27/092（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 嵇彤;叶甜春;朱纪军;李彬鸿;罗军;赵杰;许静;许滨滨;王国庆 申请（专利权）人 澳芯集成电路技术（广东）有限公司
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 -
地址 510535广东省广州市广州开发区开源大道136号A栋
法律状态 -

摘要

摘要 本申请提供一种半导体器件及其制造方法，提供衬底结构，衬底结构包括硅衬底、硅衬底上的埋氧化层和埋氧化层上的半导体层，在衬底结构中形成隔离结构，隔离结构至少贯穿半导体层，形成覆盖半导体层和隔离结构的覆盖层，对覆盖层、半导体层和埋氧化层进行刻蚀得到刻蚀槽，刻蚀槽暴露硅衬底，刻蚀槽的侧壁为隔离结构的侧壁，或刻蚀槽的侧壁包括埋氧化层的侧壁和隔离结构的侧壁，之后在刻蚀槽中选择性外延生长半导体材料，以形成半导体结构，去除覆盖层，隔离结构的侧壁和埋氧化层的侧壁不为半导体材料，因此在选择性外延生长半导体材料时，隔离结构的侧壁和埋氧化层的侧壁不容易生长，容易从硅衬底向上生长质量较好的半导体结构，降低工艺缺陷。