一种FDSOI硅外延生长工艺优化方法
基本信息
| 申请号 | CN202210096862.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114121612B | 公开（公告）日 | 2022-04-29 |
| 申请公布号 | CN114121612B | 申请公布日 | 2022-04-29 |
| 分类号 | H01L21/02（2006.01）I;H01L21/84（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 苏炳熏;叶甜春;朱纪军;李彬鸿;罗军;赵杰 | 申请（专利权）人 | 澳芯集成电路技术（广东）有限公司 |
| 代理机构 | 无锡市汇诚永信专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 曹慧萍 |
| 地址 | 510000广东省广州市黄埔区开发区开源大道136号A栋 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种FDSOI硅外延生长工艺优化方法，其可确保主动区域上方的顶层硅能够完整生长，晶体管包括衬底，衬底上分布有主动区域、沟槽隔离区、栅极区，将衬底划分为若干衬底区域，相邻两个衬底区域之间设置有一个沟槽隔离区，在不同衬底区域的顶层硅上方分别生长出外延层，工艺优化步骤包括：依次在不同衬底区域的主动区域上方沉积第一层顶层硅，在第一层顶层硅、栅极区、沟槽隔离区的上表面沉积薄膜，在薄膜的上方布置掩膜版，刻蚀相应衬底区域上方的掩膜版，刻蚀相应衬底区域上方的薄膜，采用预清洗技术进一步清洗，对第一层顶层硅进行干燥，在第一层顶层硅的表面沉积第二层顶层硅，形成组合顶层硅，使组合顶层硅生长出外延层。 |
