一种介电层平坦度优化的方法及装置
基本信息
| 申请号 | CN202210031918.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114388428A | 公开（公告）日 | 2022-04-22 |
| 申请公布号 | CN114388428A | 申请公布日 | 2022-04-22 |
| 分类号 | H01L21/762（2006.01）I;H01L21/3105（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 徐俊杰;叶甜春;朱纪军;罗军;李彬鸿;赵杰 | 申请（专利权）人 | 澳芯集成电路技术（广东）有限公司 |
| 代理机构 | 无锡市汇诚永信专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 苗雨 |
| 地址 | 510700广东省广州市黄埔区香雪大道中85号1601-1607房 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请实施例公开了一种介电层平坦度优化的方法及装置，该方法用于集成电路器件，集成电路器件的表面分为密集区和空旷区，密集区存在器件凸起，空旷区无器件凸起，该方法包括：对集成电路器件进行成膜处理，生成介电层以及第一研磨层；对第一研磨层进行平坦化处理，获得第一研磨面，处理后的第一研磨面位于介电层以及第一研磨层之间；基于介电层和第一研磨层的刻蚀比例，对第一研磨面进行刻蚀，获得第二研磨面，第二研磨面位于介电层，且研磨面的平坦度大于平坦度阈值。本方案提供的技术可以将介电层全局落差降至最小，不仅满足工艺需求，也大大增加了后续工艺窗口。 |
