一种finfet的制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202210096848.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114121678B | 公开（公告）日 | 2022-04-29 |
| 申请公布号 | CN114121678B | 申请公布日 | 2022-04-29 |
| 分类号 | H01L21/336（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 黄国泰;叶甜春;朱纪军;李彬鸿;罗军;赵杰 | 申请（专利权）人 | 澳芯集成电路技术（广东）有限公司 |
| 代理机构 | 无锡市汇诚永信专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 曹慧萍 |
| 地址 | 510000广东省广州市黄埔区开发区开源大道136号A栋 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及finfet技术领域,公开了一种finfet的制造方法，在实际使用时，本发明在衬底上制作完栅极多晶硅层以及使用清洗溶液清洗衬底的表面后，对栅极多晶硅层与Fin的接触拐角处进行蚀刻，降低栅极多晶硅层与Fin的接触拐角，进而避免栅极多晶硅层与Fin的接触拐角过大而导致制作完的finfet的栅极与Fin的接触拐角过大；又或者当去除掉衬底上的栅极多晶硅层后，通过先在栅极多晶硅层处制造一层填充层，然后再制作高介电层和栅极金属，可以降低finfet的栅极与Fin的接触拐角，进而避免finfet的栅极与Fin的接触拐角过大而影响finfet的交流性能，提高finfet的良品率。 |
