一种铝衬垫刻蚀聚合物去除方法
基本信息
| 申请号 | CN202210033150.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114388360A | 公开（公告）日 | 2022-04-22 |
| 申请公布号 | CN114388360A | 申请公布日 | 2022-04-22 |
| 分类号 | H01L21/311（2006.01）I;H01L21/02（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 傅海林;叶甜春;朱纪军;罗军;李彬鸿;赵杰 | 申请（专利权）人 | 澳芯集成电路技术（广东）有限公司 |
| 代理机构 | 无锡市汇诚永信专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 苗雨 |
| 地址 | 510700广东省广州市黄埔区香雪大道中85号1601-1607房 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种铝衬垫刻蚀聚合物去除方法，其可提高铝衬垫聚合物去除效果，同时可避免铝衬垫被腐蚀，提供一半导体结构，半导体结构包括衬底、铝衬垫，铝衬垫制作方式为：在衬底最顶层依次沉积铝衬垫层、抗反射层、光刻胶层，采用光刻工艺依次对相应区域光刻胶层进行光刻，采用第一次干法刻蚀对相应区域的剩余光刻胶层、抗反射层、铝衬垫层进行刻蚀，获取铝衬垫，同时在铝衬垫表面生成聚合物，聚合物中残余氯离子，采用第二次干法刻蚀对剩余光刻胶层、聚合物进行刻蚀，第二次干法刻蚀气体包括氢气与氮气的混合气体、氧气、水气、氮气，借助氢气中的氢离子与聚合物中残余的氯离子反应，生成氯化氢气体，采用第一次湿法清洗对聚合物进行清洗。 |
