一种低介电常数纳米陶瓷填充高频覆铜板及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202010902206.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111976237B | 公开（公告）日 | 2021-03-12 |
| 申请公布号 | CN111976237B | 申请公布日 | 2021-03-12 |
| 分类号 | B32B37/06(2006.01)I;B32B9/04(2006.01)I;B32B15/04(2006.01)I;B32B15/20(2006.01)I;B32B9/00(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;B32B38/04(2006.01)I;B32B37/10(2006.01)I;B32B33/00(2006.01)I;C04B35/56(2006.01)I | 分类 | 层状产品; |
| 发明人 | 向中荣 | 申请（专利权）人 | 无锡睿龙新材料科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京挺立专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 余莹 |
| 地址 | 214091江苏省无锡市马山常康路11号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种低介电常数纳米陶瓷填充填充高频覆铜板及其制备方法，包括最外层的第一铜箔、第二铜箔以及中间层的若干层陶瓷片，所述陶瓷片为低介电常数纳米陶瓷填充片制成，所述低介电常数纳米陶瓷填充片按重量组分计，包括：分子式为AxCy的过渡金属碳化纳米陶瓷颗粒0份～40份，其中所述x为1、2或3，所述y为1或2，所述A元素为Ti、Cr、Nb、Mo或Ta中的一种或几种，所述C元素为碳元素；石墨烯纳米颗粒10份～15份；聚偏氟乙烯20份～30份；二甲基甲酰胺1份～5份。本发明提供的高频覆铜板在采用亚6GHz以及毫米波进行信号传输的电磁波环境下具有低介电常数、低介质损耗、高饱和磁化强度和电导率的特点。 |
