岛膜自封装结构的硅-玻璃微压力传感器芯片及制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201310220922.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103278270B | 公开（公告）日 | 2014-12-03 |
| 申请公布号 | CN103278270B | 申请公布日 | 2014-12-03 |
| 分类号 | G01L1/20(2006.01)I;H01L41/22(2013.01)I | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 伞海生;许辉明;陈然斌;余煜玺 | 申请（专利权）人 | 厦门纵能电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 厦门南强之路专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 厦门大学;厦门纵能电子科技有限公司 |
| 地址 | 361005 福建省厦门市思明南路422号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 岛膜自封装结构的硅-玻璃微压力传感器芯片及制造方法，涉及微压力传感器。提供一种不仅可靠性较高，而且适用于潮湿、酸碱、静电等恶劣环境下的岛膜自封装结构的硅-玻璃微压力传感器芯片及制造方法。所述岛膜自封装结构的硅-玻璃微压力传感器芯片设有感压薄膜和带空腔的底座；感压薄膜为正面岛膜复合结构，在岛膜复合结构的应力最大的集中区设有4个压敏电阻，4个压敏电阻通过金属电极构成惠斯登电桥，采用硅-玻璃阳极键合工艺将惠斯登电桥密封于密闭绝压腔内，所述惠斯登电桥通过金属引线将界面预置电极与外部测试设备连接，构成一个完整的压力敏感和测量系统。SOI晶圆片上的工艺制作；基底部分的制备；键合及后续工艺。 |
