硅-玻璃基梁膜结构的超微压力传感器芯片及制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201310220562.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103335753B | 公开（公告）日 | 2016-01-20 |
| 申请公布号 | CN103335753B | 申请公布日 | 2016-01-20 |
| 分类号 | G01L1/18(2006.01)I;G01L9/06(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I;B81C3/00(2006.01)I | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 伞海生;张鸿;张强;余煜玺 | 申请（专利权）人 | 厦门纵能电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 厦门南强之路专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 厦门大学;厦门纵能电子科技有限公司 |
| 地址 | 361005 福建省厦门市思明南路422号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 硅-玻璃基梁膜结构的超微压力传感器芯片及制造方法，涉及一种超微压力传感器。提供一种高可靠性且适用于潮湿、酸碱、静电等恶劣环境下的具有自封装结构的硅-玻璃基梁膜结构的超微压力传感器芯片及制造方法。所述硅-玻璃基梁膜结构的超微压力传感器芯片为盒状结构，设有带空腔的基底和感压薄膜；所述感压薄膜设有凸起的梁结构，形成梁膜复合结构；所述感压薄膜的应力集中区的下表面设有连接成惠斯登电桥的4个压敏电阻，通过基底与感压薄膜的键合将压敏电阻密封于真空压力腔中；所述惠斯登电桥通过键合界面预置电极与外界实现电连接。第一阶段：SOI晶圆片上的工艺制作；第二阶段：基底部分的制备；第三阶段：键合及后续工艺。 |
