硅-玻璃-硅结构声表面波温度和压力集成传感器及制备专利查询专利号|摘要-满商公司网

硅-玻璃-硅结构声表面波温度和压力集成传感器及制备

基本信息

申请号	CN201610293100.7	申请日	-
公开（公告）号	CN105784189B	公开（公告）日	2018-12-25
申请公布号	CN105784189B	申请公布日	2018-12-25
分类号	G01K11/26;G01L1/25	分类	测量；测试;
发明人	伞海生;周鹏	申请（专利权）人	厦门纵能电子科技有限公司
代理机构	厦门南强之路专利事务所（普通合伙）	代理人	厦门纵能电子科技有限公司
地址	361101 福建省厦门市翔安区鸿翔西路1888号2#大楼七层C室
法律状态	-

摘要

硅‑玻璃‑硅结构声表面波温度和压力集成传感器及制备，涉及传感器。传感器为硅‑玻璃‑硅三明治结构，压力传感器集成在上层的硅基感压薄膜上，温度传感器集成在底部的硅基底上，硅基底与上层通过玻璃框架隔离。制造方法：制备硅基底；制备硅基感压薄膜；硅基底、硅基感压薄膜与玻璃框架键合形成三明治结构空腔；以SOI晶圆片中的掩埋氧化硅层为腐蚀自停止层刻蚀SOI晶圆片的衬底层，留下SOI晶圆片的器件层作为压力传感器的硅基感压薄膜；在硅基感压薄膜上刻蚀四个电极区域，刻蚀区域为温度传感器和压力传感器电极区域的上方，分别以玻璃框架与硅基感压薄膜键合的界面和硅基感压薄膜上的镶嵌电极为刻蚀停止层；阵列器件裂片后得单个器件。