晶体管终端结构及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110313802.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113193036A | 公开（公告）日 | 2021-07-30 |
| 申请公布号 | CN113193036A | 申请公布日 | 2021-07-30 |
| 分类号 | H01L29/06（2006.01）I;H01L29/40（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张曌;李杰 | 申请（专利权）人 | 深圳深爱半导体股份有限公司 |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人 | 虞凌霄 |
| 地址 | 518116广东省深圳市龙岗区宝龙工业城宝龙七路3号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种晶体管终端结构及其制备方法，晶体管终端结构优化了该晶体管的主结的电场强度，提高晶体管器件的反压值。同时，晶体管终端结构设置有多个沟槽，使多个终端浮空环的曲率半径小于第一曲率半径，在晶体管器件加压时多个终端浮空环的电场强度分布较为均匀，不易发生击穿，从而提升晶体管器件的反压值。 |
