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平面T型栅晶体管原胞结构及制作方法

基本信息

申请号	CN202110448665.9	申请日	-
公开（公告）号	CN113363315A	公开（公告）日	2021-09-07
申请公布号	CN113363315A	申请公布日	2021-09-07
分类号	H01L29/423;H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336	分类	基本电气元件;
发明人	张曌;李杰;刘玮	申请（专利权）人	深圳深爱半导体股份有限公司
代理机构	广州华进联合专利商标代理有限公司	代理人	黄恕
地址	518116 广东省深圳市龙岗区宝龙工业城宝龙七路3号
法律状态	-

摘要

本申请涉及一种平面T型栅晶体管原胞结构及制作方法，该方法包括：在导电外延片上形成氧化层，在氧化层制作硅槽再生成电位平衡虚拟栅氧化层。淀积掺杂多晶，掩备多晶并刻蚀未被掩备的多晶，腐蚀氧化层再次热生长栅氧化层，回填淀积掺杂多晶，掩备预留的平面多晶硅栅，刻蚀多余多晶预留预设宽度的平面栅，掺杂注入形成原胞上的P阱结构扩散形成P阱。在P阱形成电流区结构并注入掺杂硼离子形成硼晕环，淀积掺杂氧化层，开出G极接触孔、S极接触孔、电位平衡虚拟栅接触孔的金属接触区。刻蚀S极接触孔形成浅硅槽，使浅硅槽穿过电流区结构延伸至P阱，并注入形成S极P阱接触区的欧姆接触后进行孔退火，并淀积金属光刻、刻蚀形成S极的引线接触区。