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晶体管终端结构及其制造方法

基本信息

申请号 CN201911140881.6 申请日 -
公开（公告）号 CN111129108A 公开（公告）日 2020-05-08
申请公布号 CN111129108A 申请公布日 2020-05-08
分类号 H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 分类 基本电气元件;
发明人 张曌;李杰;魏国栋;田甜;刘玮 申请（专利权）人 深圳深爱半导体股份有限公司
代理机构 广州华进联合专利商标代理有限公司 代理人 深圳深爱半导体股份有限公司
地址 518172 广东省深圳市龙岗区宝龙工业城宝龙七路3号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种晶体管终端结构及其制造方法，所述终端结构在平面上环状包围晶体管的有源区，所述终端结构包括衬底、衬底上的截止环和衬底上的多个分压环，各分压环设于截止环与有源区和终端结构的分界处的主结之间；其特征在于，还包括多个沟槽多晶硅场板，分布于最靠近所述主结的一分压环与所述截止环之间的衬底中，每两个相邻的分压环之间设置的沟槽多晶硅场板不超过一个。本发明通过沟槽多晶硅场板取代传统的水平多晶硅场板方案，能够在保证与传统方案有同样耐压的前提下缩小了分压环间距，从而能够缩短终端结构整体尺寸，体现了较好的终端性价比和经济性。