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沟槽型IGBT原胞结构制作方法和沟槽型IGBT原胞结构

基本信息

申请号 CN202110382522.2 申请日 -
公开（公告）号 CN113193039A 公开（公告）日 2021-07-30
申请公布号 CN113193039A 申请公布日 2021-07-30
分类号 H01L29/06（2006.01）I;H01L29/739（2006.01）I;H01L21/331（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 张曌;李杰 申请（专利权）人 深圳深爱半导体股份有限公司
代理机构 广州华进联合专利商标代理有限公司 代理人 刘广
地址 518116广东省深圳市龙岗区宝龙工业城宝龙七路3号
法律状态 -

摘要

摘要 本申请涉及一种沟槽型IGBT原胞结构制作方法和沟槽型IGBT原胞结构，该方法包括：在导电单晶片上形成氧化层，在两个原胞间的氧化层上生长locos氧化层薄膜；用淀积氧化层作为硬掩模来制作硅槽，并在硅槽生长牺牲氧化层进行腐蚀，再生成栅氧化层；淀积掺杂多晶，刻蚀位于对应发射区接触孔位置的多晶，并掺杂注入形成原胞上P阱结构，扩散形成P阱；在P阱注入砷杂质并扩散形成电流区结构；淀积掺杂氧化层，在掺杂氧化层形成发射区接触孔，刻蚀发射区接触孔形成浅硅槽，使浅硅槽穿过电流区结构延伸至P阱，并在电流区结构底部注入硼离子掺杂形成硼晕环；对发射区接触孔注入的晕环后进行有孔退火，并淀积金属形成发射区的接触引线金属。