一种基材可分离的真空镀膜设备
基本信息
| 申请号 | CN202010848499.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112030110A | 公开（公告）日 | 2020-12-04 |
| 申请公布号 | CN112030110A | 申请公布日 | 2020-12-04 |
| 分类号 | C23C14/22;C23C14/50;C23C16/44;C23C16/458;C23C16/455 | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 叶飞;刘晓萌 | 申请（专利权）人 | 无锡爱尔华光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 无锡盛阳专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 无锡爱尔华光电科技有限公司 |
| 地址 | 214000 江苏省无锡市滨湖区胡埭镇金桂路7号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种基材可分离的真空镀膜设备，其可以获得更均匀的镀膜效果，确保镀膜面积内工艺性一致。其包括：放置待镀膜基片的基片承载盘，设置在所述基片承载盘下方的加热器，设置于所述基片承载盘上方的电磁场发生装置和工艺气体发生装置，所述基片承载盘与所述电磁场发生装置、所述工艺气体发生装置之间的区域为镀膜工艺区，其特征在于，其还包括托盘外框、升降结构，所述基片承载盘设置于所述托盘外框上端面，所述托盘外框中心部位设置中空的托举口，所述加热器面积小于所述托举口面积；所述升降结构驱动所述加热器，经所述托举口托举放置于所述基片承载盘之上的所述待镀膜基片至所述镀膜工艺区的电磁场稳定区域。 |
