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一种自生成脊型波导的激光器制作方法

基本信息

申请号	CN202111415222.6	申请日	-
公开（公告）号	CN114400503A	公开（公告）日	2022-04-26
申请公布号	CN114400503A	申请公布日	2022-04-26
分类号	H01S5/22（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	李鸿建;郭娟	申请（专利权）人	武汉云岭光电股份有限公司
代理机构	北京汇泽知识产权代理有限公司	代理人	徐俊伟
地址	430223湖北省武汉市东湖新技术开发区长城园路2号武汉澳新科技1号厂房102室
法律状态	-

摘要

本发明涉及一种自生成脊型波导的激光器制作方法，包括如下步骤：S1，生长外延结构，并于外延结构的正上方覆盖掩膜层；S2，刻蚀部分掩膜层至露出外延结构；S3，于掩膜层上生长第一InP层，外延结构上无掩膜层遮挡的区域的第一InP层的生长速率快；S4，在第一InP层上生长接触层；S5，去掉掩膜层，进行电极制作，并进行减薄、解理、测试，以完成制作。本发明利用宽的介质掩膜，进行小面积外延生长，使得无掩膜区域InP盖层的材料生长速率快，缩短了外延生长时间，节省了时间和物料成本；选择区域生长InP盖层和接触层，自生成脊型波导，省去了脊型波导和接触条的制作，简化了激光器的工艺流程，而且该选择区域外延生长方法，重复性好，易于实现产业化量产。