边发射半导体激光器芯片测试方法以及系统专利查询专利号|摘要-满商公司网

边发射半导体激光器芯片测试方法以及系统

基本信息

申请号	CN202110865398.5	申请日	-
公开（公告）号	CN113589146A	公开（公告）日	2021-11-02
申请公布号	CN113589146A	申请公布日	2021-11-02
分类号	G01R31/28（2006.01）I	分类	测量；测试;
发明人	龙浩;李万军;向欣	申请（专利权）人	武汉云岭光电股份有限公司
代理机构	北京汇泽知识产权代理有限公司	代理人	徐俊伟
地址	430223湖北省武汉市东湖新技术开发区长城园路2号武汉奥新科技1号厂房102室
法律状态	-

摘要

本发明涉及一种边发射半导体激光器芯片测试系统，包括上料区、下料区、测试区以及取料机构，测试区包括多个测试载台，取料机构包括若干取料头以及用于驱使各取料头旋转的转轴，上料区、下料区以及各测试载台环绕转轴设置，上料区、下料区以及各测试载台环绕的方向与转轴旋转的方向一致，各测试载台位于上料区至下料区之间的环绕路径上，上料区、下料区以及各测试载台合起来的数量与各取料头的数量相同且一一对应配置。提供一种边发射半导体激光器芯片测试方法。本发明通过环绕式的布局，转轴转动即可完成上料、测试以及下料的动作，没有过多的绕行作业路径，极大地减小系统的体积，减小占地面积；同步实现芯片的搬运，极大地缩减了芯片搬运时间。