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边发射激光器芯片级老化测试系统以及方法

基本信息

申请号	CN202210095601.X	申请日	-
公开（公告）号	CN114636915A	公开（公告）日	2022-06-17
申请公布号	CN114636915A	申请公布日	2022-06-17
分类号	G01R31/28（2006.01）I	分类	测量；测试;
发明人	向欣;龙浩	申请（专利权）人	武汉云岭光电股份有限公司
代理机构	北京汇泽知识产权代理有限公司	代理人	-
地址	430223湖北省武汉市东湖新技术开发区长城园路2号武汉澳新科技1号厂房102室
法律状态	-

摘要

本发明涉及芯片老化技术领域，提供了一种边发射激光器芯片级老化测试系统，包括用于安置芯片的老化板以及供老化板安装的老化夹具，老化板有多个，各老化板叠层安装在老化夹具上；系统还包括用于驱使任一老化板靠近或远离其下方的老化板以完成定位的驱动机构。还提供一种边发射激光器芯片级老化测试方法。本发明可以直接在非封装状态下的边发射激光器芯片上进行加电进行老化测试，避免封装成本的增加；不依靠MPD，可以直接检测在激光器芯片老化过程中箱体内不同时间下的激光器芯片的前、后实时的出光功率，排除MPD芯片是否不良的因素的干扰，从而能够得到真实、有效的激光器芯片的可靠数据，为分析不良品可靠性问题提供了极大的真实性和便利性。