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半导体激光器及其制作方法

基本信息

申请号	CN202210315573.8	申请日	-
公开（公告）号	CN114421280A	公开（公告）日	2022-04-29
申请公布号	CN114421280A	申请公布日	2022-04-29
分类号	H01S5/12（2021.01）I;H01S5/125（2006.01）I;H01S5/10（2021.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	李鸿建;龙浩;郭娟	申请（专利权）人	武汉云岭光电股份有限公司
代理机构	北京汇泽知识产权代理有限公司	代理人	徐俊伟
地址	430223湖北省武汉市东湖新技术开发区长城园路2号武汉澳新科技1号厂房102室
法律状态	-

摘要

本发明涉及一种半导体激光器，包括衬底，衬底上依次外延生长有缓冲层、有源层以及InP层，还包括光栅层，光栅层的制作具体为于InP层向有源层的方向刻蚀形成光栅，并在经过刻蚀后的InP层上进行光栅掩埋得到光栅层；在进行光栅掩埋前通入惰性气体；光栅层中的高折射率材料和进行光栅掩埋的材料相同，惰性气体作为光栅层中的低折射率材料。还提供一种制作方法。本发明的光栅层设计中以惰性气体作为低折射率材料，使得光栅层材料折射率差为传统设计的10倍及其以上，极大地提高光栅耦合系数，进而提高激光器的耦合效率和功率效率。光栅层设计材料相同，相较于传统的InGaAsP/InP两种材料，相同的材料设计，易于外延生长，有助于提高界面处光栅层外延生长质量。