一种高速率半导体激光器及其封装结构和方法
基本信息
| 申请号 | CN202011358393.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112510482B | 公开（公告）日 | 2021-12-14 |
| 申请公布号 | CN112510482B | 申请公布日 | 2021-12-14 |
| 分类号 | H01S5/042（2006.01）I;H01S5/024（2006.01）I;H01S5/02345（2021.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈志标;周丹 | 申请（专利权）人 | 武汉云岭光电股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京汇泽知识产权代理有限公司 | 代理人 | 代婵 |
| 地址 | 430223湖北省武汉市东湖新技术开发区华中科技大学产业园正源光子产业园内2幢1层1-5号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种高速率半导体激光器及其封装结构和方法，该高速率半导体激光器封装结构包括半导体激光器和热沉，所述热沉上设有P型过渡电极，所述半导体激光器倒装在热沉上，半导体激光器的P型电极朝下，并通过焊料与热沉上对应的P型过渡电极焊接，热沉上的P型过渡电极与管座上对应的封装引脚电连接，本发明的有源区条宽为1‑5um，P面电极很窄，大大提高了速率，所述半导体激光器的P面无需设置金丝引线焊盘，能达到提高散热并降低寄生电容的效果，从而提升激光器速率。 |
