一种小发散角半导体激光器及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202011037170.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112217093B | 公开（公告）日 | 2021-11-30 |
| 申请公布号 | CN112217093B | 申请公布日 | 2021-11-30 |
| 分类号 | H01S5/10（2021.01）I;H01S5/343（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈志标 | 申请（专利权）人 | 武汉云岭光电股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京汇泽知识产权代理有限公司 | 代理人 | 代婵 |
| 地址 | 430223湖北省武汉市东湖新技术开发区华中科技大学产业园正源光子产业园内2幢1层1-5号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种小发散角半导体激光器及其制备方法，该小发散角半导体激光器包括半导体激光器本体以及设置在半导体激光器本体出光端的一侧或者两侧的模斑转换器，在模斑转换器区域设置有模场扩展层，该模场扩展层设置在有源层的上方，激光器本体和模斑转换器具有相同的有源层，模场扩展层仅设置在模斑转换器区域，模场扩展层将激光器模式扩大，从而降低发散角。该小发散角半导体激光器仅仅在模斑转换器区域设置有模场扩展层，同时该模场扩展层设置在有源层上方，不对有源层进行刻蚀，对激光器的性能影响很小的条件下获得小发散角。 |
