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一种掩埋异质结的制备方法

基本信息

申请号	CN202110451693.6	申请日	-
公开（公告）号	CN112864807B	公开（公告）日	2021-11-05
申请公布号	CN112864807B	申请公布日	2021-11-05
分类号	H01S5/183（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	李鸿建;郭娟	申请（专利权）人	武汉云岭光电股份有限公司
代理机构	北京汇泽知识产权代理有限公司	代理人	胡建文
地址	430223湖北省武汉市东湖新技术开发区华中科技大学产业园正源光子产业园内2幢1层1-5号
法律状态	-

摘要

本发明涉及一种掩埋异质结的制备方法，包括：S1，在外延层表面制作光栅层；S2，再于光栅层上生长InP盖层，以将光栅层表面的凹槽填平，得到平整的表面；S3，接着于InP盖层上生长牺牲层及非晶态半导体材料层，以得到过渡结构；S4，继续在过渡结构上生长SiO2/SiNx掩膜层，然后对过渡结构进行刻蚀形成台状结构；S5，待台状结构形成完毕后，去掉SiO2/SiNx掩膜层，以非晶态半导体材料层作为当前的掩膜层继续在台状结构上依次生长P‑InP层和N‑InP层。本发明通过在限制层生长前去掉SiO2/SiNx掩膜层，从而去掉屋檐结构，采用非晶态半导体材料层为自对准掩膜，进行MOCVD电流限制层生长，这些非晶态的外延层容易去掉，实现了自对准非晶态半导体材料做掩膜的功能，避免了常规技术中的屋檐结构。