一种半导体激光器
基本信息
| 申请号 | CN202010604971.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113300213A | 公开（公告）日 | 2021-08-24 |
| 申请公布号 | CN113300213A | 申请公布日 | 2021-08-24 |
| 分类号 | H01S5/042 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李鸿建 | 申请（专利权）人 | 武汉云岭光电股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京汇泽知识产权代理有限公司 | 代理人 | 胡建文 |
| 地址 | 430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区华中科技大学产业园正源光子产业园内2幢1层1-5号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及激光器技术领域，提供了一种半导体激光器，一种半导体激光器，包括衬底、在所述衬底上依次生长的生长结构以及于所述生长结构上形成的导电通道，所述导电通道为长条状的条体，所述条体至少一部分本体为于所述条体的两个侧边外扩形成的加宽部，两个所述侧边为所述条体的长度方向的侧边。本发明的一种半导体激光器，通过增大条体的局部体积，可以降低电流注入密度，进而减轻发热效应，抑制空间烧孔效应，以提高器件的稳定性和延长器件的寿命。 |
